晶合集成在CMOS图像传感器产品上持续加速推进。晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CIS，为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择，推动全画幅CIS进入发展新阶段。
为满足8K高清化的产业要求，高性能CIS的需求与日俱增。晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，实现了在单个芯片尺寸上超越常规光罩极限的突破。这一成就确保了在纳米级制造工艺中成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。CMOS图像传感器广泛应用于手机、相机等影像设备中，是数字成像的核心部件。随着消费者对图像质量的要求不断提高，特别是在社交媒体和短视频兴起的背景下，更高的像素数遭到了市场的疯狂追捧。1.8亿像素的CIS芯片，不仅在清晰度上创造了新的记录，更可能成为未来手机摄影的标准。1.8亿像素的芯片对于图像处理的要求大幅提升，意味着更为复杂的数据处理能力和更强的图像处理算法。消费者未来不仅能享受更高品质的图像，还可能面对更多专业级摄影功能的引入，推动整个影像行业向专业化、高端化发展。
首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产，不仅展现了光刻拼接技术在大靶面传感器领域的有效应用，也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平了道路。同时，该产品具备1.8亿超高像素 8K 30fps PixGain HDR模式高帧率及超高动态范围等多项领先性能，创新优化光学结构，可兼容不同光学镜头，提升产品在终端灵活应用的适配能力，打破了索尼在超高像素全画幅CIS领域长期垄断地位，为本土产业发展贡献力量。
